华安证券-电子行业深度报告:第三代半导体SIC,爆发式增长的明日之星-200917
2020-09-19 13:47:15  尹沿技
研报摘要

  主要观点:
  SIC功率器件:性能优异,10年20倍增长
  功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率(理想转化率100%),基于SIC材料的功率器件相比传统的Si基功率器件效率高、损耗小,在新能源车、光伏风电、不间断电源、家电工控等有广阔的应用前景。目前SIC行业发展的瓶颈主要在于SIC衬底成本高(是Si的4-5倍,预计未来3-4年价格会逐渐降为Si的2倍),同时SICMOS为代表的SIC器件产品稳定性需要时间验证。我们认为国内外SIC产业链日趋成熟,成本也在持续下降,产业链爆发的拐点临近,Yole预计SIC器件空间将从2019年4.8亿美金到2025年30亿美金2030年100亿美金,即10年20倍增长。
  SIC晶片:国内外差距缩小,行业高增+国产替代同时进行
  SIC晶片主要用于SIC功率器件和5GGaN射频器件,未来10年市场空间随着下游SIC功率器件+GaN高频射频器件的增长而增长,我们预计SIC晶片市场将从2019年30亿RMB到2027年超过150亿RMB;行业高增长+国产替代,天科合达/山东天岳有望成为SIC晶片领域的沪硅产业:相比于普通硅片分布在日韩美五个巨头手中,SIC晶片龙头70%以上的份额都在美国CREE和II-VI等公司,国产化也更迫切;目前国内的SIC晶片龙头山东天岳、天科合达等已经初具规模,第三代半导体SIC国内外差距较之前传统半导体领域有所减小,这一次SIC晶片产业爆发和国产替代会同时进行,相关公司将充分受益这一波第三代半导体产业红利。
  投资建议
  SIC产业链会有一些新的公司进入,但是原来的IGBT龙头以及其他传统功率器件公司也都会是SIC功率器件的重要玩家,并充分受益于这一波十年以上的产业趋势。
  建议关注:
  1)国内IGBT龙头顺势切入SIC领域,关注斯达半导和未上市的比亚迪半导体/中车时代半导体;
  2)传统功率器件往SIC器件升级切入,包括闻泰科技,华润微、捷捷微电、扬杰科技、新洁能;以及较纯正SIC器件厂商泰科天润等;
  3)布局SIC设备和材料的露笑科技,第三代半导体SIC/GaN全布局的三安光电;
  4)SIC晶片领域的天科合达、山东天岳。
  风险提示
  SIC成本降低不达预期;
  SIC器件稳定性可靠性指标不及预期;
  国内SIC产业链跟国外差距进一步拉大的风险;
  宏观经济导致行业景气下降的风险。
  
打开APP阅读全文

操作成功

本研报来自"慧博投资分析终端",想要查看更多研报,您可以下载慧博APP。

立即下载

返回顶部
慧博投资分析APP
专业投资者必备工具